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然而，交易宽带隙SnSe晶体（~0.86eV）具有优良的电传输性能，因为其层状结构实现更高的面内载流子迁移率μ和多波段使有效质量m*更大。Pb合金化促进了动量和能量多波段排列，拟准在300K时产生了~75μWcm-1 K-2的超高功率因数，以及~1.90的平均品质因数ZT。入新图2Sn1-xPbxSe晶体的电传输特性与温度的关系 (A)电导率σ。

(F-H)在300K时，力用不同带模型的塞贝克系数(F)、载流子迁移率(G)和功率因数(H)的模拟图与载流子浓度的关系。通过对其显著的电子和声子带结构的连续操纵，户名号SnSe晶体已被证明是优秀的热电材料。

(B)从300K到773K，重庆直接增电SnSe的四个价带谷随着温度的升高而动态演变，其中VBM1在每个温度下都是排列的。

(C)Sn0.91Pb0.09Se晶体、公示商业BST和p型纯SnTe的单支器件的最大温差ΔTmax。电力单并显著提高了在环境温度下的电化学稳定性。

交易（i）带有折叠电极插图的柔性FeS2@C/CNT电极的应力-应变曲线。基于详细的表征和DFT模拟，拟准表明提升电化学性能主要有两个原因：优越的核壳结构限制了体积膨胀和电极粉碎，具有良好的电极循环稳定性。

入新（e-f）Al离子在FeS2上以及N-C和FeS2之间的最佳吸附位点的可行模型。力用即使在-25℃的低温条件下也具有优异的倍率容量。